더블 펄스 테스트(DPT)를 통한 WBG 반도체 스위칭 성능 최적화
D-3 2025-03-27 10:30~12:00
Tektronix / Cameron Lowe
최신 WBG 전력 반도체 측정을 위한 Tektronix 더블 펄스 테스트(DPT) 웨비나
**더 빠르게, 더 정밀하게!
SiC & GaN 기반 고속 스위칭 소자 테스트의 필수 솔루션**
와이드 밴드갭(WBG) 반도체인 SiC, GaN 채택이 늘어나면서,
더 높은 전압, 더 빠른 스위칭, 더 정밀한 측정이 필수 요건으로 떠오르고 있습니다.
이번 웨비나에서는 Tektronix 오실로스코프 기반 DPT 솔루션으로
스위칭 성능 측정의 주요 과제를 어떻게 해결할 수 있는지 소개합니다.
📌 웨비나 주요 내용
⚙️ Tektronix DPT 솔루션의 차별화 포인트
✅ 최첨단 오실로스코프 & 프로브 구성
이런 분들께 추천합니다
✔️ Si, SiC, GaN MOSFET 및 IGBT 테스트 엔지니어
✔️ 정확한 스위칭 손실 평가로 시스템 효율을 높이고 싶은 분
✔️ 고속 스위칭 환경에서 측정 정밀도 & 안정성 확보가 필요한 분
최신 WBG 반도체 테스트, Tektronix DPT 솔루션으로
정밀 측정과 효율적 설계를 동시에 잡아보세요!
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SiC & GaN 기반 고속 스위칭 소자 테스트의 필수 솔루션**
와이드 밴드갭(WBG) 반도체인 SiC, GaN 채택이 늘어나면서,
더 높은 전압, 더 빠른 스위칭, 더 정밀한 측정이 필수 요건으로 떠오르고 있습니다.
이번 웨비나에서는 Tektronix 오실로스코프 기반 DPT 솔루션으로
스위칭 성능 측정의 주요 과제를 어떻게 해결할 수 있는지 소개합니다.
- WBG 전력 반도체 테스트 트렌드 & 주요 과제
- SiC & GaN의 고속 스위칭 특성 변화에 따른 측정 난이도
- 더블 펄스 테스트(DPT) 기본 원리와 필요성
- 스위칭 손실, EMI, 효율 평가의 핵심 테스트
- 공통 모드 노이즈 최소화를 위한 계측 기법
- 정밀 측정을 위한 노이즈 제거 방법
- JEDEC/IEC 표준 기반 자동화 스위칭 손실 분석
- 고정밀 & 반복 테스트 환경 구현
- 고속 스위칭 환경에서 신뢰성 높은 전류·전압 측정
- 최신 프로브 기술로 신호 왜곡 최소화
- Tektronix DPT 솔루션을 통한 Si, SiC, GaN MOSFET 및 IGBT 테스트 최적화
- 다양한 전력 소자에 적용 가능한 완성도 높은 테스트 솔루션 제공
✅ 최첨단 오실로스코프 & 프로브 구성
- 수백 MHz~GHz 대역에서도 신호 왜곡 없이 정밀 측정
- IsoVu 절연 차동 프로브로 100dB+ 공통 모드 노이즈 제거
- JEDEC/IEC 표준 기반 스위칭 손실 자동 측정
- 소프트웨어 연동으로 테스트 반복 & 분석 효율 극대화
- AFG31000 임의 파형 발생기 내장 소프트웨어로
펄스 폭, 타이밍 직관적으로 설정 → DPT 최적화
- 네트워크 연동으로 오실로스코프 원격 제어 가능
✔️ Si, SiC, GaN MOSFET 및 IGBT 테스트 엔지니어
✔️ 정확한 스위칭 손실 평가로 시스템 효율을 높이고 싶은 분
✔️ 고속 스위칭 환경에서 측정 정밀도 & 안정성 확보가 필요한 분
정밀 측정과 효율적 설계를 동시에 잡아보세요!
Tektronix Application Engineer
Cameron Lowe

웨비나 댓글
- 7 Comments
- 강*주 (2025-03-24 오후 1:22:27)
- 박*주 (2025-03-23 오전 11:55:57) 좋은 검토 및 학습 기회 감사합니다.
- 박*주 (2025-03-23 오전 11:55:57)
- 좋은 검토 및 학습 기회 감사합니다.
- 박*원 (2025-03-20 오전 8:57:17)
- 좋은강의 부탁 드립니다.
- 이*규 (2025-03-18 오전 8:13:20)
- 기대하고있습니다
- 김*인 (2025-03-17 오후 4:13:16)
- 참여
- 이*인 (2025-03-17 오전 9:34:10)
- 기다리던 강의
- 최*휴 (2025-03-11 오전 8:19:36)
- 좋은강의 부탁 드립니다.
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