MOSFET의 선정 및 사용 방법

2024-02-01 10:30~12:00

ROHM / 태현호 연구원

  • 정*엽2024-02-01 오전 11:41:42

    수고하셨습니다.
  • e4ds2024.02.01

    참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여 부탁드립니다^^
  • 지*호2024-02-01 오전 11:40:45

    좋은 강의 감사합니다.
  • 정*용2024-02-01 오전 11:39:45

    수고하셨습니다.
  • e4ds2024.02.01

    참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여하시기 바랍니다^^
  • 주*원2024-02-01 오전 11:35:56

    유익한 강의 인것 같습니다
  • e4ds2024.02.01

    참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여하시기바랍니다^^
  • 이*우2024-02-01 오전 11:34:15

    SOA가 없는 데이터시트들은 Pd를 구해서 Pdmax만 안넘으면 안전하다고 볼 수 있을까요?
  • ROHM22024.02.01

    폐사에서는 고객 문의가 있을 경우 별도 SOA 자료를 제출드릴 수 있습니다.
  • 홍*철2024-02-01 오전 11:28:29

    15페이지 SOA PW= 100us , 1ms , 10ms 는 어떤 타임을 정의하는 건가요?
  • ROHM12024.02.01

    해당 SOA그래프는 싱글 펄스 기준으로서 펄스 폭을 의미합니다.
  • 장*수2024-02-01 오전 11:27:41

    [질문] FET Paralleling 구동시 전류 쏠림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함
  • ROHM22024.02.01

    Vgs(th)의 편차로 인한 전류 쏠림 현상을 방지하기 위해서는 편차를 고려해 마진을 두어 Vgs를 인가해 주셔야 합니다. MOSFET의 turn on을 위해서는 사양서 상의 Vgs(th)보다는 항상 높은 전압을 인가하여 주십시오.
  • 정*균2024-02-01 오전 11:22:44

    어떤순간에 최대전류정격이 초과가 되는지 궁금합니다.
  • ROHM22024.02.01

    ESD 발생은 다양한 요인에 의해 발생할 수 있습니다. 예시로 부하에서 돌입 전류가 급작스럽게 들어오는 경우 등이 있겠습니다.
  • 박*규2024-02-01 오전 11:21:27

    안녕하세요. 세미나 잘 들었습니다. MOSFET를 S/W로 사용하는데, IR drop에 의해 DUT로 전달되는 전압이 낮아 Gate와 Source 사이에 저항을 추가해서 Drain으로 인가되는 전압 대비 source단으로 출력되는 전압을 증폭하여 DUT로 전달되는 전압을 보정해 주려고 하는데, 이때 주의해서 고려할 사항이 있을까요?
  • ROHM12024.02.01

    부품 절대 최대 정격이 넘지 않도록 주의 해서 사용 부탁 드립니다.
  • 김*열2024-02-01 오전 11:18:47

    [질문] 실제 스위칭 시간을 최소화하는 MOSFET 자체 기능이나 권장방안은?
  • ROHM22024.02.01

    스위칭 시간은 Qg factor를 통해 결정됩니다. Qㅎ 충전 용량이 작을 수록 보다 고속 스위칭이 가능하므로 이를 고려하시어 소자 선정을 해 주시면 되겠습니다.