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고출력 스위칭 분야에 탁월한 Microchip SiC 제품

2023-10-24 10:30~12:00

Microchip Technology Inc. / 민석규 수석

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 권*안2023-10-24 오전 10:43:01

    Vds 와 Vgs를 동시에 고려한 Ruggedness 데이터는 없느느지요?

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    Vds는 앱솔루트맥시멈레이팅에 관계된 특성이며, 이는 데이터시트에 명기된것외에 마이크로핍 자체 마진이 상당히 있습니다.

  • 이*혁2023-10-24 오전 10:42:13

    고속 스위칭을 통한 소형화와 SiC 소자의 고효율은 반비례 관계인거죠??

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    반비례가 아니며, 각각 다른 디자인 팩터입니다. 추가 질문 주셔도 됩니다.

  • 임*우2023-10-24 오전 10:41:28

    안녕하세요

  • e4ds2023.10.24

    안녕하세요. 참석해주셔서 감사합니다.

  • 조*익2023-10-24 오전 10:40:36

    타사와 부품 비교한 자료가 있는지 문의 드립니다

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    네 이제 계속 나옵니다. 이번 웨비나에서는 러기드니스, 칩의 강건함만 비교하고 있습니다.

  • 이*진2023-10-24 오전 10:40:20

    [질문] 고출력 스위칭에서 고출력은 어느 레벨 이상을 말하는 것인지요? 그리고 고출력과 스위칭 속도도 관련이 있는지요?

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    이는 개인적인 주관이 포함된 답변이지만 수백와트에서 수십~수백KW를 의미한다고 보시면 됩니다. 고출력은 파워 덴서티, 즉 정해진 체적내에서 낼수있는 최대의 파워를 낼수 있는 것입니다. 스위칭 주파수를 올리면 적은 체적에서 높은 파워를 낼 수 있습니다. SiC는 턴오프로스가 제로에 가깝고, 주파수를 높이는 것에 매우 유리합니다.

  • 김*윤2023-10-24 오전 10:40:07

    Module에는 Gate Driver가 내장 되어 있는건가요?

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    저희 파워모듈에는 게이트 드라이버가 내장되어 있지 않습니다. MHz이상에서 쓰이는 DRF시리즈는 내장 되어 있습니다. 즉 SiC는 외부에 드라이버를 따로 쓰셔야 합니다.

  • 조*익2023-10-24 오전 10:39:51

    POWER MOSFET 부품단가를 알고싶습니다

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    이는 마이크로칩 담당 세일즈를 통해서만 릴리즈가 가능합니다. 연락주시기 바랍니다.

  • 김*열2023-10-24 오전 10:39:31

    안녕하세요. 좋은 내용 기대합니다.

  • e4ds2023.10.24

    안녕하세요. 유익한 웨비나 되시기를 바랍니다!

  • 김*수2023-10-24 오전 10:39:11

    저전압용으로 SiC를 Si 대채용으로 사용할때 가격 경쟁력이 있을까요?

  • Microchip_Douglas2023.10.24

    마이크로칩은 700V이상의 제품군부터 있습니다. 저압에서 사용해도 무리없으나, 엔지니어 관점에서 보면 저압은 GaN이 더 유리해 보입니다. 추가 적인 질문은 언제든 챗 주세요

  • 김*식2023-10-24 오전 10:36:23

    안녕하세요

  • e4ds2023.10.24

    안녕하세요. 참석해주셔서 감사합니다!
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