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Wolfspeed SiC를 이용한 미래형 EV, 그린에너지, 전력시스템 설계 및 구현

2022-01-18 10:30~12:00

Wolfspeed / 이태훈 부장, 함정호 부장

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 김*진2022-01-18 오전 11:03:24

    "SiC 전용 게이트 드라이버"를 언급해 주셨는데요, 기존 "Si 게이트 드라이버"와의 다른점을 설명 부탁드립니다.

  • Wolfspeed22022.01.18

    가장 큰 차이점은 SC, desat등 fault 조건을 detect하는 시간입니다. Si용은 그 시간이 수 us로 긴편이나, SiC의 경우 1us이내로 cut off할 수 있어야 하며, 이를 지원합니다. 감사합니다.

  • 이*재2022-01-18 오전 11:02:53

    음전압을 SiC에 반드시 사용을 해야만 하는지요? 저희의 경우의 음전압을 사용하지 않고 쓰고 있는중입니다만.

  • Wolfspeed22022.01.18

    토폴로지에 따라 음전원을 사용하지 않으실수 있습니다. 하프브릿지, 토템폴 구조 사용하실때는 반드시 음전압을 사용하셔야 합니다. 감사합니다.

  • 지*호2022-01-18 오전 11:02:14

    [질문]전기 자동차의 고속 충전 등 빠른 충전 속도와 높은 효율을 유지하기 위한 wolfspeed 전력 모듈의 지원 제품 및 특징은 어떻게 되는지요?

  • Wolfspeed12022.01.26

    빠른 충전속도는 높은 전압으로 충전시 가능한데, 충전소에서 높은 전력(350KW)으로 충전전력을 공급하려면 이에 맞는 device가 요구됩니다. 당사의 1200V MOSFET 및 1700V diode가 적용되고 있으며, 높은효율은 손실을 절감하여 얻어지는것이므로, SiC의 Rdson 특성, 낮은 Qrr특성등이 손실 절감을 유도하여 효율을 보상합니다. 감사합니다.

  • 양*영2022-01-18 오전 11:01:52

    SiC가 더 큰 전력 밀도와 더 효율적인 방식으로 양방향 전력 흐름을 관리할 수 있기 때문에, 차량과 전력망 간 연결에 유리한데 다른 유사 경쟁기술은 어떤게 있고 장단점은 어떻게 되는지요?

  • Wolfspeed12022.02.04

    WBG 디바이스중 GaN이 SiC와 비교할만한 대표적인 물질입니다. GaN은 saturated eletron drift velocity가 SiC보다 우수하여 더 빠른 주파수 대역에서 스위칭이 가능하나, thermal conductivity가 낮아, 고전력 애플리케이션에는 적합하지 않습니다. 온도에 따른 Rdson변화도 상대적으로 큽니다. 감사합니다.

  • 이*재2022-01-18 오전 11:01:40

    용량대를 질문드린겁니다. 소용량으로만 현재 적용 가능한것으로 알고 있는데.

  • Wolfspeed22022.01.21

    현재 마켓에는 GaN on Si MOSFET이 출시되어 있고, 650V 이하의 제품군이 주류인 것으로 파악됩니다. 감사합니다.

  • 이*재2022-01-18 오전 11:01:10

    GaN을 대용량으로도 어느정도까지 사용 가능한지. 현재 나와있는 수준으로요

  • Wolfspeed22022.01.18

    현재 파워소자로는 RF관련 제품만 준비되어있습니다. 당사 파워소자는 SiC 제품만 준비되어 있습니다. 감사합니다.

  • 정*균2022-01-18 오전 11:00:28

    Wolfspeed SiC는 같은 용량을 지원하는 IGBT제품에 비해서 가격이 어느정도 인지와 성능면에서 어느정도 차이가 나는지 궁금합니다.

  • Wolfspeed22022.01.18

    안녕하십니까? Wolfspeed 이태훈 입니다. IGBT 에 1:1 비교로는 가격의 차이가 있습니다. 다만 전체 SYSTEM 으로 비교 한다면 FSW 를 높여 마그네틱 소자들의 SIZE 를 줄일 수있고 전체 설계 면적 또한 줄일 수 있습니다. 이로써 얻는 Cost 절감을 비교하셔야 합니다. 감사합니다.

  • 지*호2022-01-18 오전 11:00:14

    [질문]wolfspeed 전력모듈 설계 시, 타 제품과의 에너지 소모, 오버헤드, 설계 구현 속도 등 얼마나 개선 효과가 있는지요?

  • Wolfspeed12022.02.03

    Wolfspeed power module로 시스템 구성시, Si IGBT 대비 약 3-5배 스위칭 로스 감소, 컨덕션로스는 약 30-50% 낮습니다. 감사합니다.

  • 문*웅2022-01-18 오전 10:59:00

    질문] 반도체 소재인 실리콘과 실리콘카바이드의 우수한 성능과 고유한 성능에 대해서 비교 설명 부탁드립니다

  • Wolfspeed22022.01.18

    개별 연락 드리겠습니다. 감사합니다.

  • 임*수2022-01-18 오전 10:58:56

    소형풍력발전용 전력변환기에는 40도 이상일 때 쿨링팬이 가동하도록 설계를 하거든요. '이 전력변환기를 SiC로 설계하면 쿨링팬 가동 온도를 55도로 올려도 동일한 변환효율을 얻을 수 있다'라는 것으로 이해해도 될까요?

  • Wolfspeed12022.01.26

    저희의 자체 테스트에 의한 결과였으며, 쿨링조건, 모듈사이즈, 내부방열대책, PCB 레이아웃 등에 따라 온도의 변환점은 달라질것 같습니다. 하지만, Si 디바이스에 비해 효율이 우수하여 낮은 발열은 예상할 수 있겠습니다. 감사합니다.
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