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SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

2021-07-22 10:30~12:15

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 임*수2021-07-22 오전 11:11:14

    게이트 저항을 튜닝한다는 의미가, 각기 다른 게이트 저항을 갖는 SiC 제품을 비교테스트 해서 최적인 제품으로 선정한다는 뜻인가요? 회로적으로 외부 소자값을 사용하는게 아니고요?

  • Infineon_12021.07.22

    자기 시스템 (보드)와 소자의 특성 (문턱전압,내압)에 따른 최적의 저항 선택을 의미합니다. 소자가 소손되지 않으면서도 손실이 낮은 값을 찾는것이 관건이며, 그과정에서 각각의 worst case 조건이 있습니다.

  • 노*진2021-07-22 오전 11:10:01

    평가보드 어떻게 구매가능할까요.? 연락처 주시면 컨텍하겠습니다. 감사합니다.

  • Infineon_32021.07.22

    평가보드는 인피니언 대리점을 통해 구매하실 수 있습니다. 대리점 연락처는 다음 웹페이지에서 확인하실 수 있습니다 ^^ https://www.infineon.com/cms/korea/kr/where_to_buy/

  • 김*석2021-07-22 오전 11:08:53

    스위치 DEAD TIME의 역할과 범위내 ..범위밖에 있을때..현상은 어떻게 되나요?

  • Infineon_22021.07.22

    인버터 구성시 위와 아래 스위칭 소자가 동시에 켜지는 방지를 위해 dead time 이 필요합니다. 너무 짧으면 위아래가 같이 켜지는 경우가 발생하고 너무 dead time이 길면 파형에 외률이 나빠집니다. 파형을 보시며 확인하시면 됩니다. .감사합니다.

  • 김*호2021-07-22 오전 11:08:38

    kelvin 4pin 소자의 DPT 방법도 동일할까요? kelvin wire의 보증은 어떻게 할까요?

  • Infineon_22021.07.22

    일반적으로 double pulse Test 방법은 동일합니다. 감사합니다.

  • 성*규2021-07-22 오전 11:08:23

    상암 소자와 하암 소자에 대해서 더블펄스 시험시 파형에 차이가 있는데, 동일하다고 발표 자료로 말씀하셨는데 설명이 가능하신가요?

  • Infineon_12021.07.22

    DC-link에서 소자까지 패턴, 게이트 패턴등 상하단이 동일하게 나와있으면 거의 동일하게 나오는경우가 많이 있습니다. 큰 시스템의 경우 상하단을 둘다 측정하는것이 좋습니다.

  • 김*석2021-07-22 오전 11:08:09

    시그널과 파워 그라운드 분리시..어떤것을 사용하면좋을까요?(고압기준)

  • Infineon_12021.07.22

    큰파워일수록 전류가 크기 때문에 꼭 그라운드 분리가 필요합니다. 모듈이라면 이미 핀이 각각 나와있을것이고 TO-247의 경우 4pin짜리 GND핀이 두개인 제품이 유리합니다.

  • 윤*은2021-07-22 오전 11:06:52

    400V dclink 전압인경우 650V SiC FET 사용해도되나요?

  • Infineon_22021.07.22

    일반적으로 전압 소자 선정은 아래와 같습니다. line 전압이 220V인경우 DC link 전압은 310V가 됩니다. 에어콘의 경우 380V 까지 부스팅해서 일반적으로 사용합니다. stray inductance 가 작게 DC LINK 와 소자간에 거리를 최소화 하면 400V에도 사용가능합니다. 감사합니다. short circuit 시험에서 turn off 시 전압 마진이 있는지 확인도 필요합니다.

  • 최*석2021-07-22 오전 11:06:33

    Rg를 키우면 Switching loss가 커지기 때문에 Gate Ferrite bead 를 사용하면, Gate oscillation을 효과적으로 줄일 수 있을 것 같은데, SiC에서 효과가 있는지요?

  • Infineon_12021.07.22

    오실레이션을 그럴수 있으나 Rg를 키우는 근본적인 이유인 c*dv/dt는 bead로 해결이 안될거 같습니다. 아직 SiC에 bead를달아보진 않았습니다.

  • 이*근2021-07-22 오전 11:06:26

    관련자료를 볼수 있는 사이트가 있으면 공지해주시죠

  • Infineon_32021.07.22

    금일 소개된 SiC MOSFET 및 보드는 다음 페이지에서 자세한 내용을 확인하실 수 있습니다 ^^ https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/ https://www.infineon.com/cms/en/product/evaluation-boards/eval-1edc20h12ah-sic/

  • 강*완2021-07-22 오전 11:06:07

    [질문]성능,발열 내구성,MTBF등 지표 간에,상관성 데이터 알 수 있나요?

  • Infineon_12021.07.22

    발열이 클수록 △T가 크고 이부분이 power cycle과 연관이 있습니다. 특정 소자에 대해서 신뢰성 데이터를 보시면 원하시는 자료를 보실수 있을것 같습니다
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